，在風扇的牽引下令克棒區(qū)域的氣流經過散熱器時氣流中的水份在散熱器上冷凝為液體水經下方的排水口排出，實現(xiàn)除濕的目的
。74.4
、當溫濕度開關轉換置“加熱除濕”檔位時，若令克棒放置區(qū)內的濕度大于設定濕度時
，溫濕度控制器輸出負向電壓加在制冷片上
，靠令克棒一面為熱端溫度急劇升溫同時另一面溫度急劇降溫(將靠令克棒一面的溫度傳遞給另一面)這樣就將令克棒放置區(qū)的溫度升高了，在風扇的牽引下令克棒區(qū)域的氣流經過散熱器時氣流中的水份在散熱器上烘干
，實現(xiàn)除濕的目的
。75.5、當溫濕度開關轉換置“恒溫”檔位時
，若令克棒放置區(qū)內的溫度小于設定溫度時
，溫濕度控制器輸出負向電壓加在制冷片上，靠令克棒一面為熱端溫度急劇降低同時另一面溫度急劇降溫(將靠令克棒一面的溫度傳遞給另一面)這樣就將令克棒放置區(qū)的溫度升高了
，在風扇的牽引下令克棒區(qū)域的氣流經過散熱器時升高令克棒放置區(qū)的溫度
，實現(xiàn)升溫的目的。76.6
、當溫濕度開關轉換置“恒溫”檔位時
，若令克棒放置區(qū)內的溫度大于設定溫度時，溫濕度控制器輸出正向電壓加在制冷片上
，靠令克棒一面為熱端溫度急劇降低同時另一面溫度急劇升高(將靠令克棒一面的溫度傳遞給另一面)這樣就將令克棒放置區(qū)的溫度降低了
，在風扇的牽引下令克棒區(qū)域的氣流經過散熱器時降低令克棒放置區(qū)的溫度，實現(xiàn)降溫的目的
。77.1.peltiereffect(珀爾帖效應):78.珀爾帖效應的論述很簡單當電流通過熱電偶時
，其中一個結點散發(fā)熱而另一個結點吸收熱
。79.2.p型半導體80.半導體材料的一種形式，其導帶中的空穴密度超過了價帶中的電子密度
。p型材料通過增加受主(acceptor)雜質來形成
。81.3.n型半導體82.半導體材料的一種形式，在導帶中的電子密度大于在價帶中的空穴密度的半導體
，n型材料通過對硅的晶體結構中加入施主雜質(摻雜)比如砷或磷來得到
。83.半導體熱電偶由n型半導體和p型半導體組成。n型材料有多余的電子
，有負溫差電勢
。p型材料電子不足，有正溫差電勢
；當電子從p型穿過結點至n型時
，結點的溫度降低，其能量必然增加
，而且增加的能量相當于結點所消耗的能量
。相反，當電子從n型流至p型材料時
，結點的溫度就會升高
。84.直接接觸的熱電偶電路在實際應用中不可用，所以用下圖的連接方法來代替
，實驗證明
，在溫差電路中引入第三種材料(銅連接片和導線)不會改變電路的特性。85.這樣
，半導體元件可以用各種不同的連接方法來滿足使用者的要求
。把一個p型半導體元件和一個n型半導體元件聯(lián)結成一對熱電偶，接上直流電源后
，在接頭處就會產生溫差和熱量的轉移
。86.在上面的接頭處
，電流方向是從n至p
，溫度下降并且吸熱，這就是冷端
；而在下面的一個接頭處
，電流方向是從p至n，溫度上升并且放熱
，因此是熱端
。87.因此是半導體致冷片由許多n型和p型半導體之顆粒互相排列而成
，而n/p之間以一般的導體相連接而成一完整線路
，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最后由兩片陶瓷片像夾心餅乾一樣夾起來
，陶瓷片必須絕緣且導熱良好
，優(yōu)點如下：88.1、不需要任何制冷劑
，可連續(xù)工作
，沒有污染源沒有旋轉部件，不會產生回轉效應
，沒有滑動部件是一種固體片件
，工作時沒有震動、噪音
、壽命長
，安裝容易。89.2
、半導體制冷片具有兩種功能
，既能制冷，又能加熱
，制冷效率一般不高
，但制熱效率很高，永遠大于1
。因此使用一個片件就可以代替分立的加熱系統(tǒng)和制冷系統(tǒng)
。90.3、半導體制冷片是電流換能型片件
，通過輸入電流的控制
，可實現(xiàn)高精度的溫度控制，再加上溫度檢測和控制手段
，很容易實現(xiàn)遙控
、程控、計算機控制
，便于組成自動控制系統(tǒng)
。91.4、半導體制冷片熱慣性非常小
，制冷制熱時間很快
，在熱端散熱良好冷端空載的情況下，通電不到一分鐘
，制冷片就能達到最大溫差
。92.5、半導體制冷片的反向使用就是溫差發(fā)電
，半導體制冷片一般適用于中低溫區(qū)發(fā)電
。93.6
、半導體制冷片的單個制冷元件對的功率很小，但組合成電堆
，用同類型的電堆串
、并聯(lián)的方法組合成制冷系統(tǒng)的話，功率就可以做的很大
，因此制冷功率可以做到幾毫瓦到上萬瓦的范圍
。94.7、半導體制冷片的溫差范圍
，從正溫90℃到負溫度130℃都可以實現(xiàn)
。95.本發(fā)明令克棒恒溫恒濕移動存儲器主要應用于電力工程、檢修
、施工等領域
，安裝于車頂方便取放，部分車型車頂安裝有太陽能電池提供電源
，也可使用原車電瓶電源供電
。96.以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已
，并非對本發(fā)明的結構作任何形式上的限制
。凡是依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾
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